概要
ミネベアミツミ㈱（東証PRM6479）は、2023年11月2日、㈱日立製作所（東証PRM6501）の子会社で半導体部品の設計、製造及び販売半導体応用機器と部品の設計、製造及び販売を手掛ける㈱日立パワーデバイス（資本金450百万円）の株式を日立製作所より取得し子会社化すると発表した。
狙い
日立パワーデバイスは、産業や社会インフラの電化・電動化におけるキー・デバイスであるパワー半導体製品を提供している半導体メーカー。高度な基礎技術資産とモジュール化技術を基礎とした小型化と高性能化を両立した価格競争力のある製品を数多く生み出し、高い競争力を有した製品ポートフォリオを実現することで、高成長が見込まれるエンドマーケットにおいて確固たるポジションを確立しており、特に、高耐圧SiC、高耐圧IGBT、EV向けSG（サイドゲート）-IGBT、高圧IC、オルタネータ用ダイオード等のパワー半導体においては、豊富な技術開発力を背景として、優位性の高い技術・製品を有している。同社は、日立パワーデバイスを買収することで、従来のチップ製造に加え、パッケージ及びモジュールの後工程技術および生産能力を取得し、パワー半導体を開発から一貫生産できる垂直統合型のビジネス展開を可能とする。さらに、統合による技術陣容の強化に加え、日立パワーデバイスの誇るSG-IGBTを含むユニークな技術と同社のチップ製造技術の相合により、SiパワーデバイスにおいてもSiCに近い性能を実現することや、日立パワーデバイスのSiC技術者集団が持つ高耐圧SiC技術を活かしたSiCパワーデバイス事業の発展など、パワーデバイス事業と既存同社内事業とのシナジー効果の発現を目指す。
所感
同社は、従前より日立パワーデバイスの前工程のFabとして製造受託。本件M&Aは、パワー系開発技術者の人員増強、SiC技術者の獲得、後工程能力の獲得、後工程パッケージ・モジュール技術の獲得等を図るものであり、サイドゲートIGBTの市場投入や輸送機器（電鉄）、パワーグリッドなど高耐圧品等、幅広い市場へ製品展開を図ることで、同社の更なる成長が期待される。
- 挑戦度☆
- 戦略度☆☆☆
- 期待度☆☆
株式会社日立パワーデバイスの株式取得（子会社化）及び事業譲受に関するお知らせ
以上
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